IGBT逆變模塊的損壞多半是由于什么造成？

更新時間：2020-03-19

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　　IGBT逆變模塊損壞多半是由于驅動電路損壞致使1個橋臂上的2個開關器件同一時間導通所造成的。變頻器逆變功率模塊損壞是不管在矢量變頻器還是節(jié)能變頻器等其他變頻設備上常見到的故障，解決這種問題只有查到損壞的根本原因，并首先消除再次損壞的可能，才能更換逆變模塊，否則換上去的新模塊會再損壞。

　　IGBT逆變模塊的一大缺陷就是存在中頻變壓器偏磁問題，正常工作情況下，功率開關器件在工作前半周與后半周導通脈寬相等，飽和壓降相等，前后半周交替通斷，變壓器磁心中沒有剩磁。但是，如果驅動電路輸出脈寬不對稱或其他原因，就會產生正負半周不平衡問題，此時，變壓器內的磁心會在某半周積累剩磁，出現“單向偏磁”現象，經過幾個脈沖，就可以使變壓器單向磁通達到飽和，變壓器失去作用，等效成短路狀態(tài)。這對于IGBT來說，極其危險，可能引發(fā)爆炸。

　　橋式電路的另一缺點是容易產生直通現象。直通現象是指同橋臂的IGBT在前后半周導通區(qū)間出現重疊，主電路板路，巨大的加路電流瞬時通過IGBT。

　　針對上述兩點不足，從驅動的角度出發(fā)、設計的驅動電路必須滿足四路驅動的波形*對稱，嚴格限制大工作脈寬，保證死區(qū)時間足夠.

　　針對IGBT逆變模塊，用分立元件設計出IGBT模塊的驅動電路。四路驅動波形嚴格一致，相位精確，柵極信號前沿陡峭。實驗果表明：研制的驅動電路*符合IGBT的驅動要求，能夠使IGBT可靠工作，具有一定的實用價值。

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